1. 컨덕턴스 또는 전도도 (Conductance)
ㅇ 전기,열,충격 등을 얼마나 잘 전달/전파하는가의 정도를 말함
※ 한편, 열 전도 (Heat Conduction) 이란?
- 진동 에너지 전파에 의한 열전달 현상 으로,
- 전기 및 열 전도성은 동질적인 관련성 있음
. 우수한 전기전도체는 또한 우수한 열전도체 임
2. [전기회로] 전기 전도도, 전기 컨덕턴스 (Electrical Conductance) : G
ㅇ `전압을 (또는, 외부에 전기장을) 걸었을 때, 얼마나 전류를 잘 흐르게 하는가`에 대한 척도
- 도전율 σ 및 단면적 S에 비례하고, 길이 L에 반비례 : G = σS/L
- 전기 회로에서 회로 저항 R의 역수를 말함 : G = 1/R
3. [전기회로] 전기 전도도의 단위 : 지멘스 [S]
ㅇ 어드미턴스 (1/Z = Y), 컨덕턴스 (1/R = G), 서셉턴스 (1/X = B)의 단위 : 지멘스 [S]
- 임피던스(Z), 저항(R), 리액턴스(X)의 역수의 단위 임
ㅇ SI 단위로, 지멘스(siemens)라고 하며, S 라는 기호를 사용
- 1 [S] = 1 [Ampere/Volt] = 1 [1/Ω]
* 19세기 후반 독일의 공학자 Wener 및 William Siemens 형제의 이름에 연유함
ㅇ 한편, 미국에서의 기호 형태는,
- 옴(ohm)을 거꾸로 표기한 모(mho)를 사용하며,
- 이는 Ω를 뒤집은 모양을 가짐 [℧]
- [mho], [1/Ω], [℧]
4. [전기회로] 전기 전도도와 유사한 다른 물성량 간의 관계
ㅇ [회로 관점]
- 저항(Resistance)의 역수 1/R = 전도도(Conductance) G
. 재료의 물성 및 크기(길이,단면적) 모두에 의존함
ㅇ [물성 관점]
- 고유저항(Resistivity)의 역수 1/ρ = 도전율(Conductivity) σ
. 재료의 물성에 만 의존함
.. ρ = R (A/L) = (1/G) (A/L) 또는 G = (1/ρ) (A/L) = σ (A/L)
※ 한편, 반도체는 결정 내 산란, 온도 등에 따라 전도도가 영향을 받음
- 반도체의 도전율(전기전도도) : σ = n e μ (n : 캐리어 농도, e : 전하량, μ : 이동도)
. 반도체 격자 (격자 산란), 불순물과의 충돌 (불순물 산란), 온도 등 복합적인 요인에 의존함
※ 전기전도율 크기 순
- 은(Ag) > 구리(Cu) > 금(Au) > 알루미늄(Al) > 아연(Zn) > 니켈(Ni) > 철(Fe) > 주석(Sn) 등
5. [전기회로] 누설 콘덕턴스 (Leakage Conductance) : G 또는 S [S/m]
ㅇ 통상, 절연체가 완벽한 절연이 되지 못하여, 일부 절연 불량 등으로
- 미소량이나마 전류가 누설(누설 전류)되어서 나타나는 저항성 손실 유형
ㅇ 특히, 전송선로에서 나타나는 저항성 손실의 유형
- `도선 그 자체 저항` 및 `누설 전류에 의한 누설 콘덕턴스`
. 사용 주파수, 절연물의 유전율, 사용 전압 및 유전 손실 등에 의해서 결정
* [참고] ☞ 분포정수회로, 전송선로 분포정수회로 파라미터 참조