Etching   식각, 에칭

(2022-08-03)

습식 식각, 건식 식각


1. 식각 (Etching)  

  ㅇ 선택적 화학 반응성을 이용한 불필요 물질의 제거 기술
     
  ㅇ 식각에 의한 선택적 제거 대상은?
     - 실리콘 산화막, 폴리 실리콘, 금속2. 식각 공정의 주요 파라미터

  ㅇ 식각 선택도(selectivity)  :  1:1 또는 100:1 정도 [무차원]
     - 다른 재료에 비해 특정 재료 만을 식각하는 능력 
        . (서로 다른 재질 간 식각속도 비율)

  ㅇ 식각 속도 : 수십~수천 [nm/min]


3. 식각 공정의 특징리소그래피와 연계된 핵심 공정 중 하나
     - 리소그래피 노광 과정 후 원하는 부위 만 선택적으로 제거시키는 공정
        . 화학적인 방법 등에 의해 산화막을 부분적으로 제거 함

  ㅇ 특정 부위별로 선택적으로 불순물 주입(Doping)을 가능케 하는 공정
     - 식각된 부위 만 불순물을 확산(Diffusion) 또는 이온주입(Ion Implantation) 하게 됨
        . 다양한 층 및 모양을 만들 수 있음


4. 식각 기술의 구분

  ㅇ 습식 및 건식
     - 습식 식각 (Wet Etching)  :  (용액화학 반응성 이용)
        . 화학 반응성 `용액`을 이용하여 선택 제거하는 고전적 기술
        . 보호막이 덮여있지 않은 부분을 분해 제거 함
        . 단점 : 노광되지 않은 포토 패턴 밑에 원치않는 언더컷(undercut)을 발생시키는 등
     - 건식 식각 (Dry Etching)  :  (비 용액적 방식 이용)
        . 화학 반응성 `기체`,`증기`,`플라즈마 충격` 등을 이용해 선택 제거하는 현대적 기술
        . 例) 플라즈마 식각, 스퍼터 식각, 반응성 이온 식각 등

  ㅇ 등방성이방성
     - 등방성 식각 (Isotropic Etching)
        . 수직,수평 방향으로의 식각 속도가 동일
        . 주로, 습식 식각인 경우가 많음
           .. 때론, 화학 반응기체,증기를 이용한 건식 식각도 있음
     - 이방성 식각 (Anisotropic Etching)
        . 수직,수평 방향으로의 식각 속도가 다름
        . 통상, 수직 방향의 식각 속도가 수평 방향 보다 큼
        . 주로, 건식 식각인 경우가 많음
           .. 例) 플라즈마 가스를 이용한 이온 충격 등에 의한 건식 식각



"본 웹사이트 내 모든 저작물은 원출처를 밝히는 한 자유롭게 사용(상업화포함) 가능합니다"