Doping   도핑

(2022-05-01)

불순물 주입


1. 도핑 (Doping)

  ㅇ 조절된 양의 불순물 도펀트반도체에 넣는 과정


2. 도핑의 구분

  ㅇ 도핑 종별 구분  :  불순물 반도체 (p형, n형, 보상)
  ㅇ 도핑 정도 구분  :  고 농도 도핑 (Si 경우, > 1020), 저 농도 도핑 
  ㅇ 도핑 공정 구분  :  확산 공정, 이온 주입 공정
  ㅇ 도핑 대상 구역  :  모재(Substrate), p-well, n-well3. 도핑의 특징

  ㅇ 여러차례 반복되는 공정
     - 회로 역할에 따라, 여러 다른 구역이 필요하므로, 도핑 과정은 여러차례 반복하여 이루어짐
     - 도핑으로 형성된 구역의 종류 및 농도에 따라, 동작 특성이 달라짐
        . (例:n형 반도체,p형 반도체 등)


4. 도핑 영역 간의 구분

  ㅇ 비 도핑 영역을 위한 보호막 (Masking)
     - 보통, 산화막(SiO₂) 사용



Copyrightⓒ written by 차재복 (Cha Jae Bok)
"본 웹사이트 내 모든 저작물은 원출처를 밝히는 한 자유롭게 사용(상업화포함) 가능합니다"