1. 박막 (薄膜, Thin Film)
ㅇ 통상, 집적공정 등에서 두께 약 1 ㎛ 이하로 만들어지는 얇은 막을 지칭
ㅇ 주로, 전도성 박막 및 절연성 박막 등으로 사용됨
※ [참고] ☞ 박막 필터, 박막 트랜지스터, 산화막 등 참조
2. [집적공정] 주요 박막 종류
ㅇ 열 산화막
- MOSFET 전도채널의 형성에 기반이 되는 절연 산화막 등에 사용
ㅇ 유전체 박막
- 전도성 층 간에 절연, 보호막, 격리 등에 사용
. 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등
ㅇ 에피택셜 층
- 단결정 실리콘 층의 성장에 사용
. 주로, 기계적인 지지 및 도핑 농도의 조절 등에 사용
ㅇ 다결정 실리콘 층
- 다결정 실리콘 성장에 사용
. MOSFET 게이트 전극 재료, 다층 금속화 공정의 전도성 물질, 접합 접촉 재료 등
ㅇ 금속 박막
- 집적회로 내 소자 간 연결선, 옴성 접촉, 침과 외부와의 연결 등
. 재료 : 알루미늄, 티타늄, 텅스텐, 구리 등
3. [집적공정] 주요 박막 공정
ㅇ 액상법 (液相法)
- 모든 조작을 용액 내에서 진행
. 例) 전기 도금 등
ㅇ 기상법 (氣相法) : (증착법)
- 기화된 물질을 얇게 입혀서 (증착시켜), 원하는 전기적인 특성을 갖도록 하는 공정
- 물리 증착법 (PVD)
. 진공 증착(Vacuum Depositin) 법 : 열 증발(Thermal Evaporation), 스퍼터링(Sputtering)
. 스패터링(Spattering) 법
- 화학 증착법 (CVD)
ㅇ 열 산화 법
- 실리콘 웨이퍼 그 자체 물질이 이용됨