1. 플래시 메모리 (Flash Memory)
ㅇ 전기적으로 지울 수 있고 프로그래밍이 가능한 EEPROM의 한 종류로써,
- 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성 반도체 메모리를 말함
ㅇ 주로, 휴대용 기기에서 사용
- 휴대전화, 디지털카메라, PDA, MP3 플레이어 등에 널리 이용
- 또한, HDD 등을 대체하는 반도체 저장장치(Solid State Drive)로도 활용됨
※ 어원
- 한 번에 많은 셀(블록)을, '순간적으로' 지우는 방식이,
- 카메라의 플래시(flash)처럼 빠르다는 점에서 이름이 유래됨
2. 플래시 메모리의 특징
ㅇ 데이터 보존
- 비휘발성이므로 전원 차단 후에도 데이터가 유지됨
- 주로, 프로그램 코드나 펌웨어 등 비교적 소용량 영구 데이터 저장용으로 사용됨
ㅇ 저장 매체로의 확장성
- 높은 집적도와 저전력, 기계적 내구성을 바탕으로,
- HDD를 대체하는 SSD(Solid State Drive)으로도 발전함
ㅇ 동작 구성
- 3대 동작 : program 동작 (쓰기/저장), read 동작 (읽기), erase 동작 (블록 단위 삭제)
- 1 cycle 동작 (program-read-erase)
ㅇ 블록 단위로 내용 전체를 지우거나 재수정함
- 프로그램 실행 중 세부단위로 변경 불가능
* 즉, 워드 크기로 읽기를 지원하지만, 블록 크기의 쓰기(수정) 만을 지원함
3. 메모리 셀 구조에 따른 구분
ㅇ 메모리 셀 배열 구조
- 플래시 메모리는 메모리 셀들이 행렬(matrix) 형태로 구성됨
. 각 행(워드 라인), 각 열(비트 라인)의 교차점에 하나의 메모리 셀이 위치함
- 워드 라인과 비티 라인에서의,
. 메모리 셀의 연결 방식(NOR,NAND)에 따라, 전체 메모리 어레이 구조 타입이 결정됨
ㅇ NAND Flash : 데이터 저장형
- 저장용량이 큼
- 셀들이 직렬로 연결되어 NAND 게이트 형태를 이룸
- 장점
. 동일 면적에 더 많은 셀을 수직으로 배열해 집적 가능 → 고 집적,대 용량화 유리
. 쓰기/삭제 속도가 빠르고, 단가가 저렴함
- 단점
. 읽기 속도가 상대적으로 느림
. 랜덤 액세스에 불리함
ㅇ NOR Flash : 코드 저장형
- 처리 속도가 빠름
- 셀들이 병렬로 연결되어 NOR 게이트 형태를 이룸
- 장점 : 랜덤 액세스(read)가 빠름 → 부트로더, 펌웨어 코드 저장에 적합
- 단점 : 쓰기/삭제 속도가 느리고, 집적도가 낮음 → 대 용량화에 불리
4. `NAND Flash` 및 `NOR Flash` 비교
ㅇ 주용도 : (NAND) 대용량 데이터 저장용, (NOR) 코드(프로그램) 저장용
ㅇ read (읽기) : (NAND) 늦음, (NOR) 빠름
ㅇ programming (쓰기) : (NAND) 빠름, (NOR) 늦음
ㅇ erasing (삭제) : (NAND) 빠름, (NOR) 늦음
ㅇ 저장 용량 : (NAND) 큼, (NOR) 작음
ㅇ 가격 : (NAND) 저가, (NOR) 고가
ㅇ 셀 크기 : (NAND) 작음, (NOR) 큼
ㅇ 랜덤 액세스 : (NAND) 비효율적, (NOR) 효율적
ㅇ 대표 용도 : (NAND) USB, SSD, 메모리카드, (NOR) 부트롬, 펌웨어