DRAM   Dynamic RAM   다이내믹 메모리

1. Dynamic RAM (DRAM)

  ㅇ 일반적인 기억장치로써 전원이 끊어지면 저장된 자료가 바로 소멸되는 메모리를 말함 


2. DRAM 특징

  ㅇ 데이터를 수밀리초 정도 짧게 유지하므로, 주기적인 리프레시 동작 필요

  ㅇ 고집적화 (대용량화)

  ㅇ 비교적 고속의 데이터 처리 능력

  ㅇ 속도는 주로 Access Time으로 표시됨


3. DRAM 구분

  ※ 보통의 RAM은 동작방식에 따라, DRAM 및 SRAM으로 나뉘어지는데, 
     - 우리가 RAM이라고 할 때는, 바로 DRAM을 카르킴
     - 속도면에서 SRAM이 빠르지만, 값이 비싼 이유로 주로 DRAM을 많이 사용
     - 특히, 컴퓨터의 메인 메모리 등에 많이 사용

  ㅇ 칩 외양에 따라, 다음 3가지 형태로 구분
     - DIP (Dual In-line Package) : 좌우로 핀이 달린 형태. 회로기판에 끼워넣도록 됨
     - SOJ (Small Outline J-lead) : J 자 모양으로 안쪽으로 휘어져 회로기판에 붙박힘
     - TSOP (Thin Small Outline Package) 

  ㅇ 계열 구분
     - SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM)
        . 각 클록 펄스의 상승 또는 하강하는 시점에서 한 번 만 데이터를 전송
     - DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM) : (DDR2, DDR3, DDR4, DDR5, DDR6)
        . 각 클록 펄스의 상승,하강 시점 모두에서 데이터 전송
        . SDR 보다 2배 속도 가능
     - RDRAM (Rambus DRAM)


4. [참고사항]

  ㅇ 내부 구성
     - 메모리 셀 배열, 행 디코더, 열 디코더, 감지 증폭기, I/O 버퍼회로, 리프레시 회로 등

  ㅇ 제어 신호 구성
     - {#\overline{RAS}#} (row address strobe) : 행 주소 활성
     - {#\overline{CAS}#} (colume address strobe) : 열 주소 활성
     * 칩 핀 수를 줄이기 위해, 행 주소,열 주소를 동일 입력 핀에 순차적으로 엇갈려서 입력시킴
     - {#\overline{CS}#} (chip select) : 칩 선택
     - {#\overline{WE}#} (write enable) : 읽기,쓰기 동작 구분

  ㅇ 외부 공급 전압 구성
     - VDD, VSS

  ㅇ 메모리 셀 구성
     - nMOS 1개 
        . 게이트에 워드라인 인가
        . 게이트 전압 인가 유무에 따라, 비트라인과 셀 커패시터 사이에 전자 흐름의 통로 역할
     - 셀 커패시터 1개 
        . 용량 : 수십~수백 fF(펨토 패럿)
        . 전자 채워지면 1, 비어지면 0 (전하 누설때문에, 주기적인 리프레시 필요)

  ㅇ 메모리 셀 선택
     - (M x N) 셀의 경우, 
     - 2M 행(워드 라인)들 중 하나, 2N 열(비트 라인)들 중 하나로써, 특정 셀 선택 가능