반도체 용어

1. 반도체 용어

  ㅇ 반도체 : 절연체나 전도체의 중간적 성질을 갖는, 전기 응용이 가능한 고체
  ㅇ 에너지밴드 : 반도체 내 캐리어 이동이 가능한 에너지대
     - 전도대 : 캐리어(전자)가 자유롭게 이동 가능한 에너지대
     - 밴드갭 : 캐리어가 존재할 수 없는 금지대
     - 가전자대 : 캐리어(정공)이 자유롭게 이동 가능한 에너지대
  ㅇ 페르미레벨 : 열 평형상태 하, 전자가 에너지 상태들을 점유할 확률이 1/2 이 되는 준위
  ㅇ 캐리어 : 전하를 띤 이동 가능 운반체(입자)
     - 캐리어 농도 : 에너지대역 내 단위 부피 당 캐리어(전자,정공) 입자의 수 [개/㎤]
  ㅇ 캐리어 이동 현상 : 이동(transport,transfer) = 표동(Drift) + 확산(Diffusion)
  ㅇ 진성 반도체 : 이물질(불순물) 없는 순수 반도체
  ㅇ 외인성 반도체 : 이물질(불순물)이 주입된(도핑된) 반도체 
     - 종류 : p형 반도체, n형 반도체, 보상 반도체
  ㅇ 접합 : 고체 물성학적 접촉(결합)에 의해 형성되어, 전자 이동이 가능
  ㅇ 내부 전위, 접촉 전위차 : 열평형 하의 반도체 접합 면에 형성된 공핍층을 가로지르는 내부 전위차
  ㅇ 다이오드 : 2-단자 고체 능동소자
  ㅇ 트랜지스터 : 3-단자 고체 능동소자
     - 주로, 전압제어전류원(트랜스컨덕턴스)으로 동작하는 3단자 소자
  ㅇ CMOS : 집적회로 중 한 종류 (저 전력,고 집적도)
     - pMOS 및 nMOS를 모두 사용하는 상보적 회로
  ㅇ 문턱전압
  ㅇ Si (실리콘)
  ㅇ GaAs (갈륨비소)
  ㅇ 확산 : 계에서 농도 불일치를 최소화하려는 자연스런 경향
     - 확산계수
     - 확산거리
     - 확산길이
  ㅇ (편집중)