Drain Resistance   드레인 저항, MOSFET 출력 저항

(2013-12-09)
1. 소신호 드레인 저항

  ㅇ MOSFET에서 채널길이변조 효과에 의해 나타나는 소신호 드레인 저항 성분
     

     - IDQ는 채널길이변조(얼리효과)를 고려하지 않은 직류 드레인 전류

  ㅇ MOSFET는 포화영역 동작에서 드레인 소스 전압 vDS 증가에 따라,
     드레인 전류 iD가 증가하는 채널길이변조 효과를 갖음 
     

     - 얼리효과에 의해 드레인 전류 ID가 드레인 소스 전압 VDS에
       선형적으로 의존
▷등가회로 모델
1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델)   2. Ebers-Moll 모델   3. 하이브리드 π 모델   4. r 파라미터 모델   5. h 파라미터 모델   6. MOSFET 등가회로   7. 트랜스 컨덕턴스   8. 이미터 저항   9. 베이스,컬렉터 저항   10. 드레인 저항  
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[등가회로 모델]1. BJT 등가회로(T-모델,π-모델)   2. Ebers-Moll 모델   3. 하이브리드 π 모델   4. r 파라미터 모델   5. h 파라미터 모델   6. MOSFET 등가회로   7. 트랜스 컨덕턴스   8. 이미터 저항   9. 베이스,컬렉터 저항   10. 드레인 저항  

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