Flash Memory   플래시 메모리

(2022-03-05)

1. 플래시 메모리 (Flash Memory)

  ㅇ 전기적으로 지울 수 있고 프로그래밍이 가능한 EEPROM의 한 종류

  ㅇ 주로, 휴대용 기기에서 사용하는 반도체 비휘발성 메모리를 말함
     - 휴대전화, 디지털카메라, PDA, MP3 플레이어 등에 널리 이용

  ※ 어원 : 메모리 내용물을 지우는 과정이 마치 카메라 플래시를 떠올리기 때문에 붙여짐


2. 플래시 메모리의 특징

  ㅇ 비교적 소용량의 데이터 보존에 사용
     - 주로, 프로그램 설치 및 실행용 공간

  ㅇ 동작 구성
     - 3대 동작 : program 동작 (저장), read 동작 (읽기), erase 동작 (삭제)
     - 1 cycle 동작 (program-read-erase)

  ㅇ 블록 단위로 내용 전체를 지우거나 재수정함
     - 프로그램 실행 중 세부단위로 변경 불가능
     * 즉, 워드 크기로 읽기를 지원하지만, 블록 크기의 쓰기(수정) 만을 지원함

  ㅇ 휴대용 기기에서, 데스크톱 컴퓨터디스크(저장장치)를 대체 함


3. 구분 : 메모리 셀 구조에 따른 구분비휘발성 메모리는 메모리 셀들의 행렬 형태로 묘사 가능
     - 각 행(워드 라인), 각 열(비트 라인)의 교차점에 하나의 메모리 셀이 위치함
     - 워드 라인과 비티 라인에서 메모리 셀이 어떻게 연결(NOR,AND,NAND)하는지에 따라,
     - 어레이 구조 타입이 결정됨

  ㅇ NAND Flash : 데이터 저장형
     - 저장용량이 큼, 전자회로 구성이 NAND 게이트로 됨
     - 저장단위인 메모리 셀을 수직으로 배열해 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있도록 함

  ㅇ NOR Flash : 코드 저장형
     - 처리 속도가 빠름, 전자회로 구성이 NOR 게이트로 됨
     - 저장단위인 메모리 셀을 수평으로 배열해 읽기 속도가 빠름 (NAND Flash Memory)


4. `NAND Flash` 및 `NOR Flash` 비교

  ㅇ  Read        :   (NAND) 늦음,   (NOR) 빠름         
  ㅇ  Programming :   (NAND) 빠름,   (NOR) 늦음
  ㅇ  Erasing     :   (NAND) 빠름,   (NOR) 늦음  
  ㅇ  용량        :   (NAND)   큼,   (NOR) 작음
  ㅇ  가격        :   (NAND) 저가,   (NOR) 고가
  ㅇ  크기        :   (NAND) 작음,   (NOR)   큼

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