1. 식각 (Etching)
ㅇ 선택적 화학 반응성을 이용한 불필요 물질의 제거 기술
ㅇ 식각에 의한 선택적 제거 대상은?
- 실리콘 산화막, 폴리 실리콘, 금속 등
2. 식각 공정의 주요 파라미터
ㅇ 식각 선택도(selectivity) : 1:1 또는 100:1 정도 [무차원]
- 다른 재료에 비해 특정 재료 만을 식각하는 능력
. (서로 다른 재질 간 식각속도 비율)
ㅇ 식각 속도 : 수십~수천 [nm/min]
3. 식각 공정의 특징
ㅇ 리소그래피와 연계된 핵심 공정 중 하나
- 리소그래피 노광 과정 후 원하는 부위 만 선택적으로 제거시키는 공정
. 화학적인 방법 등에 의해 산화막을 부분적으로 제거 함
ㅇ 특정 부위별로 선택적으로 불순물 주입(Doping)을 가능케 하는 공정
- 식각된 부위 만 불순물을 확산(Diffusion) 또는 이온주입(Ion Implantation) 하게 됨
. 다양한 층 및 모양을 만들 수 있음
4. 식각 기술의 구분
ㅇ 습식 및 건식
- 습식 식각 (Wet Etching) : (용액의 화학 반응성 이용)
. 화학 반응성 `용액`을 이용하여 선택 제거하는 고전적 기술
. 보호막이 덮여있지 않은 부분을 분해 제거 함
. 단점 : 노광되지 않은 포토 패턴 밑에 원치않는 언더컷(undercut)을 발생시키는 등
- 건식 식각 (Dry Etching) : (비 용액적 방식 이용)
. 화학 반응성 `기체`,`증기`,`플라즈마 충격` 등을 이용해 선택 제거하는 현대적 기술
. 例) 플라즈마 식각, 스퍼터 식각, 반응성 이온 식각 등
ㅇ 등방성 및 이방성
- 등방성 식각 (Isotropic Etching)
. 수직,수평 방향으로의 식각 속도가 동일
. 주로, 습식 식각인 경우가 많음
.. 때론, 화학 반응성 기체,증기를 이용한 건식 식각도 있음
- 이방성 식각 (Anisotropic Etching)
. 수직,수평 방향으로의 식각 속도가 다름
. 통상, 수직 방향의 식각 속도가 수평 방향 보다 큼
. 주로, 건식 식각인 경우가 많음
.. 例) 플라즈마 가스를 이용한 이온 충격 등에 의한 건식 식각
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