Etching   식각, 에칭

(2022-08-03)

습식 식각, 건식 식각


1. 식각 (Etching)  

  ㅇ 선택적 화학 반응성을 이용한 불필요 물질의 제거 기술
     
  ㅇ 식각에 의한 선택적 제거 대상은?
     - 실리콘 산화막, 폴리 실리콘, 금속2. 식각 공정의 주요 파라미터

  ㅇ 식각 선택도(selectivity)  :  1:1 또는 100:1 정도 [무차원]
     - 다른 재료에 비해 특정 재료 만을 식각하는 능력 
        . (서로 다른 재질 간 식각속도 비율)

  ㅇ 식각 속도 : 수십~수천 [nm/min]


3. 식각 공정의 특징리소그래피와 연계된 핵심 공정 중 하나
     - 리소그래피 노광 과정 후 원하는 부위 만 선택적으로 제거시키는 공정
        . 화학적인 방법 등에 의해 산화막을 부분적으로 제거 함

  ㅇ 특정 부위별로 선택적으로 불순물 주입(Doping)을 가능케 하는 공정
     - 식각된 부위 만 불순물을 확산(Diffusion) 또는 이온주입(Ion Implantation) 하게 됨
        . 다양한 층 및 모양을 만들 수 있음


4. 식각 기술의 구분

  ㅇ 습식 및 건식
     - 습식 식각 (Wet Etching)  :  (용액화학 반응성 이용)
        . 화학 반응성 `용액`을 이용하여 선택 제거하는 고전적 기술
        . 보호막이 덮여있지 않은 부분을 분해 제거 함
        . 단점 : 노광되지 않은 포토 패턴 밑에 원치않는 언더컷(undercut)을 발생시키는 등
     - 건식 식각 (Dry Etching)  :  (비 용액적 방식 이용)
        . 화학 반응성 `기체`,`증기`,`플라즈마 충격` 등을 이용해 선택 제거하는 현대적 기술
        . 例) 플라즈마 식각, 스퍼터 식각, 반응성 이온 식각 등

  ㅇ 등방성이방성
     - 등방성 식각 (Isotropic Etching)
        . 수직,수평 방향으로의 식각 속도가 동일
        . 주로, 습식 식각인 경우가 많음
           .. 때론, 화학 반응기체,증기를 이용한 건식 식각도 있음
     - 이방성 식각 (Anisotropic Etching)
        . 수직,수평 방향으로의 식각 속도가 다름
        . 통상, 수직 방향의 식각 속도가 수평 방향 보다 큼
        . 주로, 건식 식각인 경우가 많음
           .. 例) 플라즈마 가스를 이용한 이온 충격 등에 의한 건식 식각

집적공정
   1. 집적 공정   2. 식각  


Copyrightⓒ written by 차재복 (Cha Jae Bok)               기술용어해설 후원
"본 웹사이트 내 모든 저작물은 원출처를 밝히는 한 자유롭게 사용(상업화포함) 가능합니다"